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              銦鎵砷 InGaAs 蓋革模式雪崩光電二極管(內置TEC制冷型) 0.9-1.7um  

              銦鎵砷 InGaAs 蓋革模式雪崩光電二極管(內置TEC制冷型) 0.9-1.7um
              InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是短波近紅外單 光子檢測的專用器件,可滿足量子通信、弱光探測等領 域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求,實現對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。
               華東西北 Daisy Lee
              18602170419 同微信 可掃碼
               daisy@microphotons.com
               西南東北華中 Tina
              13124873453 同微信 可掃碼
               tina@microphotons.com
              產品型號 1
              貨號 操作 名稱
              E80042039  InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (內置TEC制冷型)   [PDF] 光譜響應范圍0.9~1.7μm;響應度 @1550nm: 0.85 A/W; 6針TO8 封裝;SMF-28E 光纖耦合;FC/APC; 帶 TCE    價格 : 請聯系客服 庫存/貨期:請咨詢客服
              總覽

              InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是短波近紅外單 光子檢測的專用器件,可滿足量子通信、弱光探測等領 域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求,實現對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。

              產品特點

              ● 光譜響應范圍0.9~1.7μm 

              ● 高探測效率、低暗計數率 

              ● 6 pin TO8

              產品應用

              ● 弱光探測 

              ● 量子保密通信 

              ● 生物醫療

              技術參數

              線性模式參數

              產品型號

              IGA-APD-GM104-TEC

              參數

              符號

              單位

              測試條件

              最小

              典型

              最大

              反向擊穿電壓

              VBR

              V

              22℃±3℃ ,ID =10μA

              60

              80

              90

              響應度

              Re

              A/W

              22℃±3℃,λ =1550nm ,M =1

              0.8

              0.85


              暗電流

              ID

              nA

              22℃±3℃,M =10


              0.1

              0.3

              電容

              C

              pF

              22℃±3℃ ,M =10, f=1MHz



              0.25

              擊穿電壓溫度系數

              η

              V/K

              -40℃ ~80℃,ID =10μA



              0.15


              蓋革模式參數

              參數

              單位

              測試條件

              最小

              典型

              最大

              單光子探測效率 PDE

              %

              -45℃ ,λ =1550nm ,0.1ph/pulse,泊松分布單光子源

              20



              暗計數率 DCR

               

              kHz

              -45℃,1ns門寬,2MHz門控重頻,1MHz光重頻,PDE=20%



               

              20*

              后脈沖概率 APP


              -45℃,1ns門寬,2MHz門控重頻,1MHz光重頻,PDE=20%



              1× 10-3

              時間抖動Tj

              ps

              -45℃,1ns 門寬,2MHz門控重頻,PDE=20%



              100

              * 可提供不同等級規格產品


              室溫IV曲線

              BPD2.png

              DCR-PDE(-45℃, fg=2MHz)

              BPD3.png

              溫度系數

              BPD4.png

              電容電壓

              BPD5.png


              封裝外形、尺寸及引腳定義 TO8 (尾纖封裝)

              BPD6.png












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