<tr id="b9v7n"><output id="b9v7n"><mark id="b9v7n"></mark></output></tr>
<var id="b9v7n"></var>

              close[X]
              您的購物車
              型號 數量 貨期
              查看購物車 結算

              砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb 光學浸沒式紅外光伏探測器 兩級TE冷卻 2.0-5um PVIA-2TE系列  

               砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb 光學浸沒式紅外光伏探測器 兩級TE冷卻 2.0-5um PVIA-2TE系列
              PVIA-2TE系列是基于InAsSb合金的兩級TE冷卻紅外光伏探測器。該設備具有高達300℃的溫度穩定性以及高機械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標要求。帶有3°楔形藍寶石(wAl2O3)窗口防止不必要的干擾影響。
               西南東北華中 Tina
              13124873453 同微信 可掃碼
               tina@microphotons.com
               華東西北 Daisy Lee
              18602170419 同微信 可掃碼
               daisy@microphotons.com
              產品型號 1
              貨號 操作 名稱
              E80040159  砷化銦 InAs 光浸式紅外光伏探測器 兩級TE冷卻 2-5.5um   [PDF] 響應波長范圍:2-5.5μm;峰值波長:2.9μm;相對響應強度:≥5×10^11 cm?Hz^(1/2)/w@2.9μm;光敏面積:1×1mm^2;有源元件材料:外延InAs異質結構    價格 : ¥0 庫存/貨期:請咨詢客服
              總覽

              PVIA-2TE系列是基于InAsSb合金的兩級TE冷卻紅外光伏探測器。該設備具有高達300℃的溫度穩定性以及高機械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標要求。帶有3°楔形藍寶石(wAl2O3)窗口防止不必要的干擾影響。

              產品特點

              ● 可探測紅外波長范圍2-5.5μm

              ● 采用兩級TE冷卻有效提高探測效率

              ● 可配專用前置放大器

              ● 高溫度穩定性與機械耐久性

              ● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡以實現光學浸沒,提升探測器的性能


              產品應用

              ● 醫學熱成像

              ● 紅外光譜分析

              ● 中紅外氣體吸收檢測

              ● 中紅外激光探測


              通用參數


              參數

              探測器型號

              PVIA-2TE-3

              PVIA-2TE-5

              有源元件材料

              外延InAs異質結構

              外延InAsSb異質結構

              起始波長λcut-on (10%), μm

              2.1±0.2

              2.4±0.2

              峰值波長λpeak(μm)

              2.9±0.3

              4.7±0.3

              截止波長λcut-off (10%), μm

              3.4±0.2

              5.5±0.2

              相對響應強度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W

              ≥5×1011

              ≥4×1010

              電流響應度Ri(λpeak),A/W

              ≥1.3

              ≥1.5

              時間常數T,ns

              ≤15

              ≤5

              電阻R,Ω

              ≥200K

              ≥1K

              元件工作溫度Tdet,K

              ~230

              感光面尺寸A,mm×mm

              1×1

              封裝

              TO8

              接收角Φ

              ~36°

              窗口

              wAl2O3


              探測器光譜響應特性曲線



              PVIA-2TE1.jpeg

              熱敏電阻特性曲線

              PV-2TE1.jpeg



              兩級TE冷卻參數表


              參量

              數值

              Tdet , K

              ~230

              Vmax , V

              1.3

              Imax , A

              1.2

              Qmax , W

              0.36


              抗反射涂層窗口光譜透過率曲線



              5.png



              封裝及尺寸

              TO8型封裝外形尺寸圖

              23.jpg

              參量

              數值

              浸沒微型透鏡形狀

              超半球形

              光學區域面積AO;mm×mm

              1×1

              R,mm

              0.8

              A,mm

              3.2±0.30

              備注:

              ?—接收角度;

              R—超半球微型透鏡半徑

              A—2TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離



              2TE-TO8引腳定義

              功能

              PIN號

              探測器

              1,3

              反向偏壓(可選)

              1(-),3(+)

              熱敏電阻

              7,9

              TE冷卻器供應

              2(+),8(-)

              底板接地

              11

              未使用

              4,5,6,10,12











              使用本網站,即表示您同意我們使用cookie.它可以幫助更好地提供會員服務以及短時間內記錄您的瀏覽記錄
              已知曉 了解詳情
              提示

              国产无圣光一区二区三区四区